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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT49H32M18BM-18:B TR 是一款高性能的DRAM(动态随机存取存储器)模块,主要面向需要高速数据处理和大容量内存的应用场景。该型号具备高带宽、低延迟等特性,适用于以下领域: 1. 工业控制与自动化设备:在PLC、工业计算机等控制系统中提供快速的数据缓存与处理能力,保障系统稳定运行。 2. 通信设备:广泛应用于基站、交换机、路由器等网络基础设施中,支持高速数据传输与并发处理,提升通信效率。 3. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS),满足对实时性与可靠性的高要求。 4. 医疗设备:用于影像诊断设备、监护仪器等,确保大量医疗数据的快速读写与准确处理。 5. 消费类电子产品:如高端平板电脑、智能电视等,提升设备运行速度与用户体验。 该存储器符合工业级标准,具有良好的温度适应性和稳定性,适合在复杂环境中长期运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC RLDRAM 576MBIT 1.875NS UBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT49H32M18BM-18:B TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 144-µBGA (18.5x11) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | RLDRAM 2 |
| 存储容量 | 576M(32M x 18) |
| 封装/外壳 | 144-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 1.875ns |